BC817K-16HR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTPS717MCTA
Diodes Incorporated · 封装：DFN3020B-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 10 mV，采用 DFN3020B-8 封装。NSVMSD42WT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101。APT13003EU-G1
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 30 mA，采用 SOT-323-3 封装。2SA1162-O,LF
Toshiba · 封装：TO-236MOD-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V、最大直流集电极电流 - 150 mA，采用 TO-236MOD-3 封装。DSS5220T-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-23-3 封装。2SD2657TL
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 140 mV。ZXTP25015DFHTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 160 mV，采用 SOT-23-3 封装。QST8TR
ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 85 mV，采用 SMT-6 封装。DMJT9435-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 550 mV，采用 SOT-223-4 封装。PMBT4403YSX
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 TSOP-6 封装。CMLT3904E
Central Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SOT-563-6 封装。ZXTN4002ZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 1 A、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-89-3 封装。2SA1313-O(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管。ZXT12N20DXTA
Diodes Incorporated · 封装：MSOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV，采用 MSOP-8 封装。ZXTP4003GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、最大直流集电极电流 - 1 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。NSV40300MDR2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。ZXT10N20DE6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 190 mV，采用 SOT-23-6 封装。HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 25 V、集电极－发射极饱和电压 42 mV，采用 SOT-26-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。