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Toshiba

2SA1162-O,LF

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 50 V、集电极-基极电压(VCBO) - 50 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.3 V、最大直流集电极电流 - 150 mA,采用 TO-236MOD-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Toshiba
产品类别
晶体管
产品系列
2SA1162
封装
TO-236MOD-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

9 项参数
晶体管极性
PNP
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 50 V
集电极-基极电压(VCBO)
- 50 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 5 V
集电极-发射极饱和电压
- 0.3 V
最大直流集电极电流
- 150 mA
增益带宽积(fT)
80 MHz
连续集电极电流
- 150 mA
耗散功率(Pd)
150 mW

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

2SA1162-O,LF 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技