ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

NST3946DXV6T5G

ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V, 0.3 V，采用 SOT-563-6 封装。
查看资料 询价

FJPF13009H1TU

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 12 A、增益带宽积（fT） 4 MHz、最小直流电流增益（hfe） 6，采用 TO-220F-3 封装。
查看资料 询价

DNLS320A-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-23-3 封装。
查看资料 询价

PBSS5112PAP,115

Nexperia · 封装：DFN-2020-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 150 mV，采用 DFN-2020-6 封装。
查看资料 询价

2DA1201Y-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 1 V，采用 SOT-89-3 封装。
查看资料 询价

BSD816SNH6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BSD816SN BSD816SNH6327XT H6327 SP000917670、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。
查看资料 询价

NST3904DXV6T5G

ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-563-6 封装。
查看资料 询价

DSL12AW-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 12 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 290 mV，采用 SOT-363-6 封装。
查看资料 询价

MMST4126-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 SOT-323-3 封装。
查看资料 询价

2SB1705TL

ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 120 mV，采用 TSMT-3 封装。
查看资料 询价

BCP69-25,135

Nexperia · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-4 封装。
查看资料 询价

FZT1147ATA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-223-4 封装。
查看资料 询价

DNLS412E-13

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 SOT-223-4 封装。
查看资料 询价

APT13005T-G1

Diodes Incorporated · 封装：TO-220AB-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-220AB-3 封装。
查看资料 询价

DN0150BLP4-7B

Diodes Incorporated · 封装：DFN1006H4-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 DFN1006H4-3 封装。
查看资料 询价

2DB1424R-13

Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-89-3 封装。
查看资料 询价

HN1C01F-GR(TE85L,F

Toshiba · 封装：SOT-26-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SOT-26-6 封装。
查看资料 询价

PBSS4260QAZ

Nexperia · 封装：DFN-1010D-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技