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ON Semiconductor / Fairchild

FJPF13009H1TU

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、最大直流集电极电流 12 A、增益带宽积(fT) 4 MHz、最小直流电流增益(hfe) 6,采用 TO-220F-3 封装。

基本资料

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制造商
ON Semiconductor
品牌
ON Semiconductor / Fairchild
产品类别
晶体管
产品系列
FJPF13009
封装
TO-220F-3
安装方式
通孔安装
包装方式
管装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

8 项参数
晶体管极性
NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO)
400 V
发射极-基极电压(VEBO)
9 V
最大直流集电极电流
12 A
增益带宽积(fT)
4 MHz
最小直流电流增益(hfe)
6
耗散功率(Pd)
50 W
单件重量
0.080072 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

FJPF13009H1TU 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技