2SB1215T-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 3 A、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-251-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录2SCR375P5T100Q
ROHM Semiconductor · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SC-62-3 封装。APT27HZTR-G1
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV、最大直流集电极电流 1.6 A，采用 TO-92-3 封装。2SB1302T-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2SB1689T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 110 mV，采用 SOT-323-3 封装。PBSS8510PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 6 A，采用 DFN-2020-3 封装。DCP69-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。ZUMT717TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 12 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 185 mV，采用 SOT-323-3 封装。BC869,135
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。PBSS4160QAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 DFN-1010D-3 封装。CTA2N1P-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 750 mV，采用 SOT-363-6 封装。PBSS5240Y,135
Nexperia · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 UMT-3 封装。2SA1313-Y,LF
Toshiba · 封装：TO-236-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.1 V、最大直流集电极电流 - 500 mA，采用 TO-236-3 封装。BC857BLP4-7
Diodes Incorporated · 封装：DFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 DFN-3 封装。2SC3265-Y,LF
Toshiba · 封装：TO-236MOD-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V、最大直流集电极电流 800 mA，采用 TO-236MOD-3 封装。ZXTP25012EZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 70 mV，采用 SOT-89-3 封装。CPH6003A-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、最大直流集电极电流 150 mA，采用 SC-74-6 封装。2SD1803S-H
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 220 mV, - 280 mV，采用 TO-251-3 封装。2SA1552T-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 1.5 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-252-3 封装。ZXTC6718MCTA
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3020-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V, 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V, - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 210 mV, - 225 mV，采用 W-DFN3020-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。