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Diodes Incorporated

ZXTP25012EZTA

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 12 V、集电极-基极电压(VCBO) - 20 V、发射极-基极电压(VEBO) - 7 V、集电极-发射极饱和电压 - 70 mV,采用 SOT-89-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管
产品系列
ZXTP25012
封装
SOT-89-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

17 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 12 V
集电极-基极电压(VCBO)
- 20 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 7 V
集电极-发射极饱和电压
- 70 mV
最大直流集电极电流
- 4.5 A
增益带宽积(fT)
310 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
1500 at - 10 mA, - 2 V
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
展开更多参数(5 项)
宽度
2.6 mm
连续集电极电流
- 4.5 A
最小直流电流增益(hfe)
40 at -4.5 A, - 2 V
耗散功率(Pd)
19200 mW
单件重量
0.004603 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

ZXTP25012EZTA 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技