PMBT4401YSX
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSOP-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC860BW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。2DD2652-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-323-3 封装。PUMZ2,125
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。CZTA42 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CZTA42 PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。CZT4033 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CZT4033 PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。CZT3906 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOT-223 封装。CMPTA42 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 125 mV，采用 SOT-23-3 封装。PBSS4160PAN,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 DFN-2020-6 封装。PBSS4160DSH
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSOP-6 封装。2DD2656-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 350 mV，采用 SOT-323-3 封装。CXT4033 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89 封装。CMLT3904EG TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-563 封装。CMPTA92E TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPTA92E PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。CMST2907A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323 封装。BD242BG
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 115 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-220-3 封装。PBSS4480XZ
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-89-3 封装。NSS40300MDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOIC-Narrow-8 封装。PBSS4032SP,115
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 115 MHz、连续集电极电流 - 4.8 A，采用 SO-8 封装。2SB1216S-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 4 A、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-251-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。