ON Semiconductor
NSS40300MDR2G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOIC-Narrow-8 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- NSS40300MD
- 封装
- SOIC-Narrow-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 40 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 40 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 7 V
- 最大直流集电极电流
- 3 A
- 增益带宽积（fT）
- 100 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 250 at 10 mA, 2 V
- 高度
- 1.5 mm
- 长度
- 5 mm
- 宽度
- 4 mm
展开更多参数（3 项）
- 最小直流电流增益（hfe）
- 250 at 10 mA, 2 V, 220 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 150 at 2 A, 2 V
- 耗散功率（Pd）
- 783 mW
- 单件重量
- 0.005044 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。