PBSS4021PX,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 105 MHz、连续集电极电流 - 6.2 A，采用 SOT-89-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录2SA1419T-TD-E
ON Semiconductor · 封装：TO-243-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 160 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 TO-243-3 封装。PBSS5160PAP,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 125 mV，采用 DFN-2020-6 封装。BC850CW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。MMBT4126-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 SOT-23-3 封装。BC857CQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。CXT5551 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-89 封装。SBC847AWT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-323-3 封装。SST3904HZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV, 300 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC394
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 180 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18 封装。CMLT5088EM TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMLT5088EM PBFREE TR，采用 SOT-563 封装。CMLT5551 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-563 封装。ZXT11N15DFTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、集电极－发射极饱和电压 110 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SCR372P5T100R
ROHM Semiconductor · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SC-62-3 封装。ZXTP07012EFFTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 12 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 75 mV，采用 SOT-23F-3 封装。2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 20 mA，采用 SOT-323-3 封装。2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 20 mA，采用 SOT-346-3 封装。MJD44H11T4-A
STMicroelectronics · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 16 A，采用 TO-252-3 封装。PBSS305PZ,135
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4.5 A，采用 SOT-223-3 封装。2SD1620-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。