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STMicroelectronics

MJD44H11T4-A

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 16 A,采用 TO-252-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管
产品系列
MJD44H11T4-A
封装
TO-252-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

12 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
80 V
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
集电极-发射极饱和电压
1 V
最大直流集电极电流
16 A
最大工作温度
+ 150 C
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
认证等级
AEC-Q101
单件重量
0.139332 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MJD44H11T4-A 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技