ZXTP19100CGTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 110 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 130 mV，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录2SA1593S-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.139332 oz，采用 TO-251-3 封装。2SA1552S-TL-H
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 160 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 TO-252-3 封装。2SA2126-TL-H
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 135 mV，采用 TO-252-3 封装。KSE13003H1ASTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-126-3 封装。NJVMJD47T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.012381 oz。PBSS4260PANSX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-2020D-6 封装。PHPT60406NYX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 LFPAK56-5 封装。2SA1417S-TD-E
ON Semiconductor · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.22 V，采用 SC-62-3 封装。2SC5964-TD-H
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 3 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 1.3 W，采用 SOT-89-3 封装。PBSS5360ZX
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-223-3 封装。PMBTA42DS,125
Nexperia · 封装：SOT-457-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-457-6 封装。BF621,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.05 A，采用 SOT-89-3 封装。PEMZ7,115
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-666-6 封装。MMBTH10M3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、增益带宽积（fT） 650 MHz，采用 SOT-723-3 封装。BC847BVC-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SOT-563-6 封装。BC857QASZ
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000043 oz，采用 DFN-1010B-6 封装。BCW32,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-23-3 封装。BC857AT-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-523-3 封装。2DC4617QLP-7
Diodes Incorporated · 封装：DFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 DFN-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。