ON Semiconductor
MMBTH10M3T5G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、增益带宽积（fT） 650 MHz，采用 SOT-723-3 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MMBTH10M3
- 封装
- SOT-723-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 25 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 30 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3 V
- 增益带宽积（fT）
- 650 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 60 at 4 mA, 10 V
- 高度
- 0.5 mm
- 长度
- 1.2 mm
- 宽度
- 0.8 mm
- 最小直流电流增益（hfe）
- 60 at 4 mA, 10 V
展开更多参数（2 项）
- 耗散功率（Pd）
- 640 mW
- 单件重量
- 0.000045 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。