2N5302G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、集电极－发射极饱和电压 0.75 V、最大直流集电极电流 30 A，采用 TO-204-2 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTP722MATA
Diodes Incorporated · 封装：DFN2020B-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 70 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7.5 V、最大直流集电极电流 - 3 A、增益带宽积（fT） 180 MHz，采用 DFN2020B-3 封装。MMDTA06-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-26-6 封装。BSV52,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 200 mA，采用 SOT-23-3 封装。2SD2114KT146W
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-23-3 封装。NJVMJB41CT4G
ON Semiconductor · 封装：D2PAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 D2PAK-3 封装。BC847BV,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 200 mA，采用 SOT-666-6 封装。FMMT6520TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1 V，采用 SOT-23-3 封装。PMSTA42,115
Nexperia · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 200 mA，采用 SC-70-3 封装。MMBT3906LP-7B
Diodes Incorporated · 封装：X1-DFN1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 200 mA，采用 X1-DFN1006-3 封装。BC846BS,135
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 100 mA、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-363-6 封装。2SAR523MT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 150 mV，采用 VMT-3 封装。SS8550CTA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.28 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。BC856BDW1T3G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SC-70-6 封装。PMBT2907,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。PMST3904,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-323-3 封装。CMPT2907AE TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。MJE5850G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-220-3 封装。FJA4213RTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 230 V、集电极－基极电压（VCBO） - 230 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 TO-3P-3 封装。FJP5027OTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-220-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。