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Diodes Incorporated

MMBT3906LP-7B

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 40 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 200 mA,采用 X1-DFN1006-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管
产品系列
MMBT39
封装
X1-DFN1006-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

6 项参数
晶体管极性
PNP
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 40 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 5 V
工作温度范围
-55~150 °C
连续集电极电流
- 200 mA
耗散功率(Pd)
250 mW

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MMBT3906LP-7B 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技