TIP41
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MJL21196G
ON Semiconductor · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-264-3 封装。FJL6920TU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.7 kV、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 3 V，采用 TO-264-3 封装。LM395T/NOPB
Texas Instruments · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 36 V、发射极－基极电压（VEBO） 20 V、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 125 C、连续集电极电流 2.2 A，采用 TO-220-3 封装。2SD1047
STMicroelectronics · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 20 MHz、连续集电极电流 12 A、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 TO-3P-3 封装。NJW0281G
ON Semiconductor · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-3P-3 封装。NJW0302G
ON Semiconductor · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-3P-3 封装。TTC5200(Q)
Toshiba · 封装：2-21F1A-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 3 V，采用 2-21F1A-3 封装。TTA1943(Q)
Toshiba · 封装：2-21F1A-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 230 V、集电极－基极电压（VCBO） - 230 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 2-21F1A-3 封装。MJE5852G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-220-3 封装。BU508AW
STMicroelectronics · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 TO-247-3 封装。2SA1943N(S1,E,S)
Toshiba · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 230 V、集电极－基极电压（VCBO） - 230 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.1 V，采用 TO-3P-3 封装。FJA4210OTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 200 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-3P-3 封装。MMPQ2907A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-16
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 SOIC-16 封装。TIP3055
STMicroelectronics · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 TO-247-3 封装。BD911
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。2SC5242OTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 17 A，采用 TO-3P-3 封装。TIP36CW
STMicroelectronics · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 25 A，采用 TO-247-3 封装。MJB45H11G
ON Semiconductor · 封装：TO-263-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 5 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-263-3 封装。BC847BT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。