STMicroelectronics
2SD1047
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 20 MHz、连续集电极电流 12 A、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 TO-3P-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SD1047
- 封装
- TO-3P-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 140 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 增益带宽积（fT）
- 20 MHz
- 连续集电极电流
- 12 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 50
- 耗散功率（Pd）
- 100 W
- 单件重量
- 0.238311 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。