TS3A4741DCNRG4
Texas Instruments
该型号为集成电路。模拟与信号链
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型号列表
65,377 条型号记录TS3A225ERTERG4
Texas Instruments
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。TS12A4517DBVRG4
Texas Instruments
该型号为集成电路。TS12A4516DBVRG4
Texas Instruments
该型号为集成电路。TS12A4515DBVRG4
Texas Instruments
该型号为集成电路。TS12A4514DBVRG4
Texas Instruments
该型号为集成电路。DG202BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-16
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 12 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply，采用 SOIC-16 封装。DG2034EDN-T1-GE4
Vishay Semiconductors · 封装：QFN-12
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 4 x SPST，采用 QFN-12 封装。DG211BDQ-T1-E3
Vishay Semiconductors · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 12 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply，采用 TSSOP-16 封装。DG212BDY-E3
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 12 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply，采用 SOIC-Narrow-16 封装。DG212BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 12 V、最小双电源电压 +/- 4.5 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply，采用 SOIC-Narrow-16 封装。DG213DQ-T1-E3
Vishay Semiconductors · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 40 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply，采用 TSSOP-16 封装。DG213DY-T1-E3
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-Narrow-16
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 40 V、最小双电源电压 +/- 3 V、最大双电源电压 +/- 22 V、供电类型 Single Supply, Dual Supply，采用 SOIC-Narrow-16 封装。DG2517EDN-T1-GE4
Vishay Semiconductors · 封装：DFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 1.5 Ω、导通时间（最大值） 50 ns，采用 DFN-10 封装。DG2519EDN-T1-GE4
Vishay Semiconductors · 封装：DFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 1.5 Ω、导通时间（最大值） 50 ns，采用 DFN-10 封装。DG2523DN-T1-GE4
Vishay Semiconductors
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、配置 4 x SPDT、导通电阻（最大值） 650 mOhms、导通时间（最大值） 70 us。DG2535EDQ-T1-GE3
Vishay Semiconductors · 封装：MSOP-10
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、供电类型 Dual Supply、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 700 mOhms，采用 MSOP-10 封装。DG2715EDL-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：SC-70-5
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 SPST、导通电阻（最大值） 1.1 Ω，采用 SC-70-5 封装。DG2723DN-T1-E4
Vishay Semiconductors · 封装：QFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 QFN-10 封装。DG2733EDN-T1-GE4
Vishay Semiconductors · 封装：DFN-10
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、供电类型 Dual Supply、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 700 mOhms，采用 DFN-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。