Vishay Semiconductors
DG2519EDN-T1-GE4
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、配置 2 x SPDT、导通电阻（最大值） 1.5 Ω、导通时间（最大值） 50 ns，采用 DFN-10 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- 集成电路
- 产品系列
- DG
- 封装
- DFN-10
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
11 项参数- 通道数
- 2 个通道
- 配置
- 2 x SPDT
- 导通电阻（最大值）
- 1.5 Ω
- 电源电压范围
- 2.7～3.3 V
- 导通时间（最大值）
- 50 ns
- 关断时间（最大值）
- 45 ns
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 日本
- 耗散功率（Pd）
- 1.191 W
- 电源电流（最大值）
- 1 uA
- 单件重量
- 0.012208 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。