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MAX66242ESA+

Maxim Integrated · 封装:SO-8

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 13.567 MHz、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 I2C、存储器类型 EEPROM、类型 DeepCover Secure Authenticator,采用 SO-8 封装。

DS28E38Q+T

Maxim Integrated · 封装:TDFN-6

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 1-Wire、存储器类型 EEPROM、类型 ECDSA Authenticator、数据总线宽度 64 位,采用 TDFN-6 封装。

DS28E10P+T

Maxim Integrated · 封装:TSOC-6

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~3.6 V、接口类型 1-Wire、数据速率 125 kb/s、类型 EPROM,采用 TSOC-6 封装。

DS28E16Q+U

Maxim Integrated · 封装:TDFN-6

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、接口类型 1-Wire、存储器类型 EEPROM、类型 Secure SHA-3 Authenticator、数据总线宽度 64 位,采用 TDFN-6 封装。

MAX66242ESA+T

Maxim Integrated · 封装:SO-8

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 13.567 MHz、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 I2C、存储器类型 EEPROM、类型 DeepCover Secure Authenticator,采用 SO-8 封装。

ATAES132A-SHEQ-B

Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括数据总线宽度 128 位、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。

DS28E84Q+U

Maxim Integrated · 封装:TDFN-6

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 1-Wire、存储器类型 FRAM, OTP、类型 DeepCover Radiation-Resistant、数据总线宽度 64 位,采用 TDFN-6 封装。

SE050C1HQ1/Z01SCZ

NXP Semiconductors · 封装:HX2QFN-20

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、型号别名 935386987472,采用 HX2QFN-20 封装。

DS2476Q+U

Maxim Integrated · 封装:TQFN-6

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 I2C、存储器类型 EEPROM、类型 Secure Coprocessor,采用 TQFN-6 封装。

ATTPM20P-H3MA1-10-B

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 36 MHz、电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、接口类型 SPI、存储器类型 Nonvolatile、类型 Trusted Platform Module 2.0,采用 UDFN-8 封装。

MIKROE-3047

Mikroe · 封装:F5 MicroCan

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) - 0.5 V、接口类型 1-Wire、数据速率 16.3 kb/s、类型 iButton、数据总线宽度 48 位,采用 F5 MicroCan 封装。

MAXQ1061EUD+

Maxim Integrated

该型号为集成电路,主要参数包括接口类型 I2C, SPI、数据总线宽度 128 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 109 C、单件重量 0.006102 oz。

ATTPM20P-G3MA1-10-B

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 36 MHz、电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、接口类型 SPI、存储器类型 Nonvolatile、类型 Trusted Platform Module 2.0,采用 UDFN-8 封装。

AT97SC3205-X3A12-20

Microchip Technology / Atmel · 封装:TSSOP-28

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 45 MHz、工作电源电压 3.3 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TSSOP-28 封装。

DS28E50Q+T

Maxim Integrated · 封装:TDFN-6

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 1-Wire、数据速率 62.5 kb/s、存储器类型 EEPROM、类型 DeepCover Secure SHA-3 Authenticator,采用 TDFN-6 封装。

ATAES132A-SHEQ-T

Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括数据总线宽度 128 位、单件重量 0.002646 oz,采用 SOIC-8 封装。

DS28E50Q+U

Maxim Integrated · 封装:TDFN-EP-6

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 1-Wire、数据速率 11.7 kb/s, 62.5 kb/s、存储器类型 EEPROM、类型 SHA-3 Authenticator,采用 TDFN-EP-6 封装。

HCS515/SL

Microchip Technology · 封装:SOIC-14

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 5 V、数据总线宽度 64 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 SOIC-14 封装。

ATSHA204A-SSHDA-B

Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~5.5 V、数据总线宽度 72 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。

AT88SC118-SH-CM

Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 2.7~3.6 V、接口类型 2-Wire、数据总线宽度 64 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。

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