BT882Q-R
Bridgetek · 封装:VQFN-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 Parallel, SPI、类型 Resistive Touch Advanced Embedded Video Engine、工作电源电流 10.8 mA,采用 VQFN-56 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Bridgetek · 封装:VQFN-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 Parallel, SPI、类型 Resistive Touch Advanced Embedded Video Engine、工作电源电流 10.8 mA,采用 VQFN-56 封装。Bridgetek · 封装:VQFN-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 Parallel, SPI、类型 Resistive Touch Advanced Embedded Video Engine、工作电源电流 10.8 mA,采用 VQFN-56 封装。Bridgetek · 封装:VQFN-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 Parallel, SPI、类型 Capacitive Touch Advanced Embedded Video Engine、工作电源电流 10.8 mA,采用 VQFN-56 封装。Bridgetek · 封装:VQFN-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、接口类型 Parallel, SPI、类型 Capacitive Touch Advanced Embedded Video Engine、工作电源电流 10.8 mA,采用 VQFN-56 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾,采用 TQFN-32 封装。Diodes Incorporated · 封装:QFN-30
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾,采用 QFN-30 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-40
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾,采用 TQFN-40 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-40
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾,采用 TQFN-40 封装。MACOM · 封装:QFN-40
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是,采用 QFN-40 封装。MACOM · 封装:QFN-72
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚,采用 QFN-72 封装。MACOM
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。Nisshinbo · 封装:VSP-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 7 V、类型 Low Power w/ Y-C Mxr、工作电源电流 14 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 日本,采用 VSP-8 封装。Nisshinbo · 封装:SSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 6 V、类型 Efficient use of set space、工作电源电流 51 mA、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 80 C、原产国家或地区 日本,采用 SSOP-20 封装。Nisshinbo · 封装:VSP-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 7 V、类型 Mute function、工作电源电流 14 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 日本,采用 VSP-8 封装。Nisshinbo · 封装:MSOP-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~9 V、电源电压(最大值) 9 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电流 16 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 MSOP-8 封装。Nisshinbo · 封装:MSOP-8
该型号为集成电路,采用 MSOP-8 封装。Nisshinbo · 封装:MSOP-8
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 TH,采用 MSOP-8 封装。Nisshinbo · 封装:QFP-64-N1
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 8 V、类型 Color TFT Signal Processor、工作电源电流 33 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 日本,采用 QFP-64-N1 封装。Nisshinbo · 封装:DMP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 7 V、类型 RF Mod for VHF、工作电源电流 22.5 mA、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 75 C、原产国家或地区 日本,采用 DMP-14 封装。Nisshinbo · 封装:DMP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 7 V、类型 RF Modulator、工作电源电流 22.5 mA、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 75 C、原产国家或地区 日本,采用 DMP-14 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。