ATECC508A-SSHAW-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2 V、接口类型 I2C、数据总线宽度 72 位、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。音视频与专用芯片
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型号列表
3,599 条型号记录AT88SC0808C-MP
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。AT88SC0808C-MPTG
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。ATECC108A-SSHDA-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是、型号别名 ATECC608B-SSHDA-B、单件重量 0.003527 oz，采用 SOIC-8 封装。AT97SC3205T-G3M4C-00
Microchip Technology · 封装：VQFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、接口类型 I2C、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 VQFN-32 封装。AT97SC3205T-G3M4C-10
Microchip Technology · 封装：VQFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、接口类型 I2C、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 VQFN-32 封装。ATAES132A-SHER-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据总线宽度 128 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。AT88SC0808CA-SH
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。AT88SC0808CA-SH-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。AT88SC118-SH-CN-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire、数据总线宽度 64 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。AT88SC12816C-MJ
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。AT88SC12816C-MJTG
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。AT88SC12816C-SU
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。DS2478ATB/VY+
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 TH。DS2478ATB/VY+T
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 TH。DS24L65P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾、工作电源电流 750 uA、型号别名 DS24L65 90-24L65+P00，采用 TSOC-6 封装。MF3D43C0DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、组装国家或地区 TH、晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 TH，采用 MOA-8 封装。MF3D8300DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、组装国家或地区 TH、晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 TH，采用 MOA-4 封装。MF3D8300DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、组装国家或地区 TH、晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 TH，采用 MOA-8 封装。MF3D83C0DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、组装国家或地区 TH、晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 TH，采用 MOA-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。