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型号列表

3,599 条型号记录
每页 20 条

ECC204-SSVDA-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、接口类型 I2C、数据速率 125 kb/s、存储器类型 EEPROM,采用 SOIC-8 封装。

ECC206-MCVCZ-B

Microchip Technology · 封装:VSFN-2

该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.4 V、接口类型 Wire、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、电源电流(最大值) 250 uA,采用 VSFN-2 封装。

RNG90-MAVDA-T

Microchip Technology

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 TH。

RNG90-SSVDA-T

Microchip Technology

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 TH。

SHA104-MAVCZ-T

Microchip Technology

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 TH。

SHA104-MAVDA-T

Microchip Technology

该型号为集成电路,主要参数包括晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 TH。

SHA104-RBVCZ-T

Microchip Technology

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 TH。

SHA104-SSVCZ-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、数据速率 125 kb/s、存储器类型 EEPROM、类型 Crypto Authentication,采用 SOIC-8 封装。

SHA104-SSVDA-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、接口类型 I2C、数据速率 125 kb/s、存储器类型 EEPROM,采用 SOIC-8 封装。

SHA105-MAVDA-T

Microchip Technology

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 TH。

SHA105-SSVDA-T

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、接口类型 I2C、存储器类型 EEPROM、类型 Crypto Authentication,采用 SOIC-8 封装。

SHA106-MCVCZ-B

Microchip Technology

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 TH。

TA010-TFLXS-VU

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

TA010-TFLXU-VU

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

该型号为集成电路,主要参数包括接口类型 I2C,采用 UDFN-8 封装。

MF3D4300DA8/00J

NXP Semiconductors · 封装:MOA-8

该型号为集成电路,主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流(最大值) 86 mA、商品名称 MIFARE DESFire,采用 MOA-8 封装。

MF3D43C0DA4/00J

NXP Semiconductors · 封装:MOA-4

该型号为集成电路,主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流(最大值) 86 mA、商品名称 MIFARE DESFire,采用 MOA-4 封装。

MF3DH2300DA4/00J

NXP Semiconductors · 封装:MOA-4

该型号为集成电路,主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流(最大值) 86 mA、商品名称 MIFARE DESFire,采用 MOA-4 封装。

MF3DH2300DA8/00J

NXP Semiconductors · 封装:MOA-8

该型号为集成电路,主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流(最大值) 86 mA、商品名称 MIFARE DESFire,采用 MOA-8 封装。

MF3DH23C0DA4/00J

NXP Semiconductors · 封装:MOA-4

该型号为集成电路,主要参数包括存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流(最大值) 86 mA、商品名称 MIFARE DESFire,采用 MOA-4 封装。

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