ATECC608B-MAVDA-S
Microchip Technology
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Secure Element、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Secure Element、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C。Microchip Technology
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Secure Element、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C。Microchip Technology
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Secure Element、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C。Microchip Technology
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Secure Element、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C。Microchip Technology
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Secure Element、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C。Microchip Technology
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Secure Element、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、数据速率 1 Mb/s、存储器类型 SRAM,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Cryptographic Device、最小工作温度 - 40 C,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Cryptographic Device、最小工作温度 - 40 C,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、数据速率 1 Mb/s、存储器类型 SRAM,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、数据速率 1 Mb/s、存储器类型 SRAM,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Cryptographic Device、最小工作温度 - 40 C,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、数据速率 1 Mb/s、存储器类型 SRAM。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Cryptographic Device、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、数据速率 1 Mb/s、存储器类型 SRAM,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、类型 Cryptographic Device、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、接口类型 I2C、数据速率 1 Mb/s、存储器类型 SRAM,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括数据总线宽度 72 位、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2 V、数据总线宽度 72 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国台湾,采用 UDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:UDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括数据总线宽度 72 位、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 TH、湿敏性 是、单件重量 0.000339 oz,采用 UDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。