MF1PH2200DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-4 封装。音视频与专用芯片
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
3,599 条型号记录MF1P2200DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-4 封装。MF1P2200DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-8 封装。MF1P2230DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-4 封装。MF1P2230DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-8 封装。MF1P4200DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-4 封装。MF1P4200DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-8 封装。MF1P4230DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-4 封装。MF1P4230DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-8 封装。MF1PH2200DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-8 封装。MF3D23C0DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 2 kB、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流（最大值） 86 mA，采用 MOA-4 封装。MF1PH2230DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-4 封装。MF1PH2230DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-8 封装。MF1PH4200DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-4 封装。MF1PH4200DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-8 封装。MF1PH4230DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-4 封装。MF1PH4230DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 848 kb/s、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、商品名称 MIFARE PLUS，采用 MOA-8 封装。MF3D2300DA4/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-4
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 2 kB、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流（最大值） 86 mA，采用 MOA-4 封装。MF3D2300DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 2 kB、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流（最大值） 86 mA，采用 MOA-8 封装。MF3D23C0DA8/00J
NXP Semiconductors · 封装：MOA-8
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 2 kB、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH、电源电流（最大值） 86 mA，采用 MOA-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。