SLS32AIA010MLUSON10XTMC1
Infineon Technologies · 封装:PG-USON-10
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 PG-USON-10 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Infineon Technologies · 封装:PG-USON-10
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 PG-USON-10 封装。Infineon Technologies · 封装:UQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、接口类型 I2C、存储器类型 Non-Volatile、类型 TPM Module,采用 UQFN-32 封装。Infineon Technologies · 封装:UQFN-32-1,-2
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.65 V、接口类型 I2C、类型 Trusted Platform Module、数据总线宽度 32 位,采用 UQFN-32-1,-2 封装。Infineon Technologies · 封装:UQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、接口类型 I2C、存储器类型 Non-Volatile、类型 TPM Module,采用 UQFN-32 封装。Infineon Technologies · 封装:VFQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 43 MHz、电源电压(最大值) 1.95 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.65 V, 3 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile、数据总线宽度 16 位,采用 VFQFN-32 封装。Infineon Technologies · 封装:PG-USON-10-2
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、存储器类型 14 mA、类型 Security Controller,采用 PG-USON-10-2 封装。Infineon Technologies · 封装:PG-USON-10
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C,采用 PG-USON-10 封装。Infineon Technologies · 封装:PG-USON-10
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C,采用 PG-USON-10 封装。Infineon Technologies · 封装:PG-USON-10
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 PG-USON-10 封装。Infineon Technologies · 封装:USON-10
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C,采用 USON-10 封装。Infineon Technologies · 封装:USON-10
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、接口类型 I2C、类型 Security Controller、最小工作温度 - 25 C,采用 USON-10 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:M2 J, Smart Card Module
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 M2 J, Smart Card Module 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:M2-J-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 M2-J-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:Mini-MAP-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 Mini-MAP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。