AD6620ASZ
Analog Devices · 封装：PQFP-80
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 65 MHz、产品 Down Converters、工作电源电流 52 mA、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 PQFP-80 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX2663EUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 2500 MHz、最大工作频率 500 MHz、增益 4.2 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-23-6 封装。ADF5904ACPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 24～24.25 GHz、本振频率 24～24.25 GHz、产品 Down Converters、增益 22 dB、1 dB 压缩点（P1dB） - 10 dBm，采用 LFCSP-32 封装。HMC1065LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 27～34 GHz、中频频率 DC to 4 GHz、本振频率 11.5～19 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 QFN-24 封装。F1162NBGI
IDT · 封装：VFQFPN-36
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1162 IDTF1162NBGI，采用 VFQFPN-36 封装。HMC951ALP4E
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括射频频率 5.6～8.6 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、本振频率 4.5～12.1 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters、增益 13 dB，采用 LFCSP-24 封装。F1178NBGI
IDT
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1178。F1152NBGI
IDT · 封装：VFQFPN-36
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1152 IDTF1152NBGI，采用 VFQFPN-36 封装。MAX2680AUT+T
Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、射频频率 400 MHz to 2.5 GHz、中频频率 10～500 MHz、本振频率 400 MHz to 2.5 GHz、产品 Down Converters、增益 11.6 dB。HMC682LP6CE
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-40
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1.7～2.2 GHz、中频频率 0.06～0.4 GHz、本振频率 1.4～2 GHz、产品 Down Converters、增益 6 dB，采用 QFN-40 封装。MAX2673EUA+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 2500 MHz、最大工作频率 500 MHz、增益 12.6 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 USOP-8 封装。AD6633BBCZ
Analog Devices · 封装：BGA-196
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、产品 Up Converters、湿敏性 是，采用 BGA-196 封装。HMC570LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3.5 V、射频频率 17～21 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、本振频率 7～12 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 QFN-32 封装。AD6623ASZ
Analog Devices · 封装：MQFP-128
主要参数包括工作电源电压 9 V、产品 Up Converters、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是、耗散功率（Pd） 740 mW，采用 MQFP-128 封装。AD6634BBCZ
Analog Devices · 封装：CSPBGA-196
主要参数包括工作电源电压 2.5 V、产品 Down Converters、工作电源电流 443 mA、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是，采用 CSPBGA-196 封装。HMC571LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3.5 V、射频频率 25 GHz、中频频率 3.5 GHz、本振频率 14 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 QFN-32 封装。MAX9994ETP+
Maxim Integrated · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1.4～2.2 GHz、中频频率 40～350 MHz、本振频率 1.4～2 GHz、最大输入频率 2200 MHz、最大工作频率 350 MHz，采用 QFN-EP-20 封装。MAX9984ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大输入频率 1000 MHz、最大工作频率 250 MHz、增益 9.2 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX2680EUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、射频频率 400 MHz to 2.5 GHz、中频频率 10～500 MHz、本振频率 400 MHz to 2.5 GHz、最大输入频率 2500 MHz、最大工作频率 500 MHz，采用 SOT-23-6 封装。AD6636BBCZ
Analog Devices · 封装：CSPBGA-256
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、射频频率 150 MHz、产品 Down Converters、工作电源电流 450 mA、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 CSPBGA-256 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。