TEF7094AHN/V205Y
NXP Semiconductors
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 935307268518。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SI4702-C19-GM
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最大频率 108 MHz、最小频率 76 MHz、调制技术 FM、技术 Si，采用 QFN-20 封装。SI4702-C19-GMR
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最大频率 108 MHz、最小频率 76 MHz、调制技术 FM、技术 Si，采用 QFN-20 封装。SI4703-C19-GM
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-20
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最大频率 108 MHz、最小频率 76 MHz、调制技术 FM，采用 QFN-20 封装。SI4703-C19-GMR
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、技术 Si、类型 FM Radio Tuner、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-20 封装。TDA7706MA
STMicroelectronics · 封装：LQFP-64
主要参数包括技术 Si、类型 Highly Integrated Tuner、认证等级 AEC-Q100，采用 LQFP-64 封装。MAX2136AETJ/V+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-32
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX2136A，采用 TQFN-32 封装。MAX2173ETL/V+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-40
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 韩国、型号别名 MAX2173，采用 TQFN-40 封装。MAX2136AETJ/V+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-32
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX2136A，采用 TQFN-32 封装。SI4709-C-GM
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最大频率 108 MHz、最小频率 76 MHz、调制技术 FM，采用 QFN-16 封装。ADMV1013ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-40
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、射频频率 24～44 GHz、中频频率 0.8～6 GHz、本振频率 5.4～10.25 GHz、产品 Up Converters、增益 19 dB，采用 LGA-40 封装。TGC4407-SMSR
RFMD (Qorvo) · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 21.5～32.5 GHz、中频频率 DC to 7 GHz、本振频率 11～16 GHz、技术 硅、产品 Up Converters，采用 QFN-16 封装。HMC908ALC5
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-32
主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、射频频率 9～12 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.5～15.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 LCC-32 封装。ADMV1014ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 24～44 GHz、中频频率 0.8～6 GHz、本振频率 5.4～10.25 GHz、技术 SiGe、产品 Down Converters，采用 LGA-32 封装。HMC6505ALC5
Analog Devices · 封装：SMT-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 5.5～8.6 GHz、中频频率 DC to 3 GHz、本振频率 5～11.6 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters，采用 SMT-32 封装。TGC2510-SM
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 10～16 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、本振频率 6.5～19 GHz、产品 Up Converters、增益 17 dB，采用 QFN-28 封装。ADMV4420ACPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 16.95～22.05 GHz、中频频率 900～2500 MHz、本振频率 16.75～21.15 GHz、技术 SiGe、产品 Down Converters，采用 LFCSP-32 封装。ADMV1012AEZ
Analog Devices · 封装：LCC-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 17.5～24 GHz、中频频率 2.5～3.5 GHz、本振频率 7～13.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 LCC-32 封装。ADMV1014-EVALZ
Analog Devices · 封装：LGA-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 24～44 GHz、中频频率 0.8～6 GHz、本振频率 5.4～10.25 GHz、技术 SiGe、产品 Down Converters，采用 LGA-32 封装。ADMV1010AEZ
Analog Devices · 封装：LCC-32
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 12.6～15.4 GHz、中频频率 2.7～3.5 GHz、本振频率 9～12.6 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 LCC-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。