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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

HMC942LP4E

Analog Devices · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 4.5 V、最大输入频率 31 GHz、最小输入频率 25 GHz、技术 Si、类型 Active Frequency Multiplier、原产国家或地区 马来西亚,采用 QFN-24 封装。

HMC8342LS6

Analog Devices · 封装:CLCC-16

主要参数包括工作频率 11~21 GHz、最大输入频率 21 GHz、最小输入频率 11 GHz、工作电源电流 17 mA, 55 mA, 97 mA、原产国家或地区 美国、开发套件 EV1HMC8342LS6,采用 CLCC-16 封装。

HMC814LC3BTR

Analog Devices · 封装:SMT-12

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 88 mA,采用 SMT-12 封装。

HMC814LC3B

Analog Devices · 封装:SMT-12

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 24.6 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 88 mA,采用 SMT-12 封装。

HMC814-SX

Analog Devices · 封装:Die

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 13~24.6 GHz、最大输入频率 24.6 GHz、最小输入频率 13 GHz、技术 GaAs,采用 Die 封装。

HMC760LC4B

Analog Devices · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 2.1 V、电源电压(最小值) 1.9 V、工作频率 0 Hz to 5 GHz、最大输入频率 5 GHz、最小输入频率 0 Hz、技术 SiGe,采用 QFN-24 封装。

HMC578LC3BTR

Analog Devices · 封装:QFN-12

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 23~33 GHz、最大输入频率 33 GHz、最小输入频率 23 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-12 封装。

HMC578LC3B

Analog Devices · 封装:QFN-12

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 33 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 81 mA,采用 QFN-12 封装。

HMC578-SX

Analog Devices · 封装:Die

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 24~33 GHz、最大输入频率 33 GHz、最小输入频率 24 GHz、技术 GaAs,采用 Die 封装。

HMC577LC4B

Analog Devices · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 27~31 GHz、最大输入频率 31 GHz、最小输入频率 27 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-24 封装。

HMC576LC3BTR

Analog Devices · 封装:QFN-12

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 18~29 GHz、最大输入频率 29 GHz、最小输入频率 18 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-12 封装。

HMC576LC3B

Analog Devices · 封装:QFN-12

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 29 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 82 mA,采用 QFN-12 封装。

HMC575LP4E

Analog Devices · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 9 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 90 mA,采用 QFN-24 封装。

HMC575LP4

Analog Devices · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 6~9 GHz、最大输入频率 9 GHz、最小输入频率 6 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-24 封装。

HMC573LC3BTR

Analog Devices · 封装:QFN-12

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 8~22 GHz、最大输入频率 22 GHz、最小输入频率 8 GHz、技术 GaAs,采用 QFN-12 封装。

HMC573LC3B

Analog Devices · 封装:QFN-12

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 22 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 92 mA,采用 QFN-12 封装。

H-1-4-N

MACOM

主要参数包括技术 Si、类型 UHF Hybrid Junctions、原产国家或地区 美国。

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