SYK-2-33+
Mini-Circuits · 封装：Non-standard
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 100 MHz to 3 GHz、最大输入频率 1.5 GHz、最小输入频率 50 MHz、类型 Frequency Multiplier、原产国家或地区 IN，采用 Non-standard 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ZFLM-43-5W+
Mini-Circuits
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 20 MHz to 4 GHz、最大输入频率 4 GHz、最小输入频率 20 MHz、类型 Coaxial RF Limiter、原产国家或地区 美国。QPA2735D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 13～20 GHz、最大输入频率 20 GHz、最小输入频率 13 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifier，采用 Die 封装。QPB1025SR
Qorvo
RF Wireless Misc ADC Anti-aliasing Filter BankQPB1025TR13
Qorvo
RF Wireless Misc ADC Anti-aliasing Filter BankQPB4220
Qorvo
RF Wireless Misc mmW Spatium Integarted Bias Card (StandaQPB4221
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国。SX1303IMLTRT
Semtech · 封装：QFN-68
主要参数包括电源电压（最大值） 1.3 V、电源电压（最小值） 1.1 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 868 MHz、最大输入频率 1.02 GHz、最小输入频率 150 MHz，采用 QFN-68 封装。ADF5709BEZ
Analog Devices · 封装：CLCC-24
主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、工作频率 9.85～20.5 GHz、最大输入频率 20.5 GHz、最小输入频率 9.85 GHz、技术 Si、类型 MMIC，采用 CLCC-24 封装。HMC1096LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.8～5.6 GHz、最大输入频率 2.8 GHz、最小输入频率 1.9 GHz、技术 Si，采用 QFN-16 封装。HMC1096LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚，采用 QFN-16 封装。HMC1110-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括工作频率 71～86 GHz、技术 GaAs、类型 x6 Active Frequency Multiplier、工作电源电流 175 mA、原产国家或地区 中国台湾、最大工作温度 + 85 C，采用 Die 封装。HMC443LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 11.2 GHz、技术 GaAs、类型 Multiplier、工作电源电流 52 mA，采用 QFN-24 封装。HMC443LP4ETR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 9.8～11.2 GHz、最大输入频率 11.2 GHz、最小输入频率 9.8 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。HMC444LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 9.9～11.2 GHz、最大输入频率 11.2 GHz、最小输入频率 9.9 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。HMC445LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 9.9～11 GHz、最大输入频率 11 GHz、最小输入频率 9.9 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。HMC448LC3B
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 19～25 GHz、最大输入频率 25 GHz、最小输入频率 19 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-12 封装。MAX2046ETJ+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、型号别名 MAX2046，采用 TQFN-EP-32 封装。MAX1005CEE+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QSOP-16
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 MAX1005，采用 QSOP-16 封装。MAX1005CEE+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、工作频率 10.7 MHz、技术 Si、类型 IF Undersampler，采用 QSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。