MAX41461GUB+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、接口类型 I2C、工作频率 300～960 MHz、技术 Si、类型 Transmitter with I2C，采用 TSSOP-10 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX41460GUB+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、接口类型 SPI、工作频率 286～960 MHz、技术 Si、类型 ASK and GFSK Transmitter，采用 TSSOP-10 封装。MAX41460GUB+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、接口类型 I2C, SPI、工作频率 300～960 MHz、技术 Si、类型 UHF Sub-GHz ISM/SRD，采用 TSSOP-10 封装。MAX2903ETI+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QFN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 4.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 902～928 MHz、技术 Si、类型 Transmitter、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-28 封装。MAX2902ETI+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 4.5 V、工作频率 928 MHz、技术 Si、类型 Transmitter、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2902，采用 TQFN-EP-28 封装。MAX2902ETI+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 4.5 V、工作频率 928 MHz、技术 Si、类型 Transmitter、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2902，采用 TQFN-28 封装。MAX2900ETI+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 4.5 V、工作频率 928 MHz、技术 Si、类型 Transmitter、原产国家或地区 中国台湾、开发套件 MAX2900EVKIT#，采用 TQFN-EP-28 封装。MAX2900ETI+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QFN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 4.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 928 MHz、技术 Si、类型 Transmitter、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-28 封装。MAX2850ITK+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-68
主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 中国台湾、晶圆制造国家或地区 日本、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 MAX2850，采用 TQFN-EP-68 封装。MAX1479ATE+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.1 V、工作频率 450 MHz、技术 Si、类型 Transmitter、最大工作温度 + 125 C，采用 TQFN-16 封装。MAX1479ATE+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.1 V、工作频率 450 MHz、技术 Si、类型 Transmitter、最大工作温度 + 125 C，采用 TQFN-EP-16 封装。MAX1472AKA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.1 V、工作频率 300～450 MHz、技术 Si、类型 ASK Transmitter、最大工作温度 + 125 C，采用 SOT-23-8 封装。HMC6300BG46TR
Analog Devices · 封装：BGA-65
主要参数包括电源电压（最大值） 1.48 V, 2.835 V, 4.1 V、电源电压（最小值） 1.3 V, 2.565 V, 3.9 V、接口类型 Serial、工作频率 57～64 GHz、技术 Si、类型 Millimeterwave，采用 BGA-65 封装。HMC6300BG46P7
Analog Devices · 封装：BGA-65
主要参数包括电源电压（最大值） 1.48 V, 2.835 V, 4.1 V、电源电压（最小值） 1.3 V, 2.565 V, 3.9 V、接口类型 Serial、工作频率 57～64 GHz、技术 Si、类型 Millimeterwave，采用 BGA-65 封装。CC1151IRHBRG4Q1
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括技术 Si、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 马来西亚、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是，采用 VQFN-32 封装。CC1151QRHBRG4Q1
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括技术 Si、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 马来西亚、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是，采用 VQFN-32 封装。CC1151TRHBRG4Q1
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括技术 Si、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 马来西亚、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是，采用 VQFN-32 封装。TGL2217-SM
Qorvo · 封装：QFN-14
主要参数包括工作频率 100 MHz to 20 GHz、类型 VPIN Limiter、高度 1.64 mm、长度 3.5 mm、宽度 3.5 mm、开发套件 TGL2217-SM_EVB，采用 QFN-14 封装。SX1301IMLTRT
Semtech · 封装：QFN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 1.85 V、电源电压（最小值） 1.75 V、工作频率 868 MHz、类型 Digital Baseband Chip、工作电源电流 550 mA、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-64 封装。SX1301IMLTRC
Semtech · 封装：QFN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 1.85 V、电源电压（最小值） 1.75 V、工作频率 868 MHz、类型 Digital Baseband Chip、工作电源电流 550 mA、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-64 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。