ChipSourceHub 美芯科技

射频与无线

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

BAR6404WH6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装:SOT-323-3

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 64-04W BAR BAR644WH6327XT H6327 SP000743414、单件重量 0.000176 oz,采用 SOT-323-3 封装。

BAR151E6327HTSA1

Infineon Technologies · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 15-1 BAR BAR151E6327XT E6327 SP000010163、单件重量 0.000282 oz,采用 SOT-23-3 封装。

SMP1302-040LF

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOD-882

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 10 GHz、反向电压(Vr) 200 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电压(Vf) 0.8 V,采用 SOD-882 封装。

BAR6304WH6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装:SOT-323-3

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 63-04W BAR BAR634WH6327XT H6327 SP000742896、单件重量 0.000176 oz,采用 SOT-323-3 封装。

BAR 14-1 E6327

Infineon Technologies · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 3 MHz、最大工作频率 30 MHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压(Vr) 100 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 12 Ω,采用 SOT-23-3 封装。

SMP1352-079LF

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SC-79

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 10 GHz、反向电压(Vr) 200 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω、正向电压(Vf) 0.8 V,采用 SC-79 封装。

RN771VTE-17

ROHM Semiconductor · 封装:SOD-323-2

该型号为二极管,主要参数包括类型 Switch、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.9 pF、最大最大正向电流下串联电阻 7 Ω、正向电流(If) 50 mA、正向电压(Vf) 1 V,采用 SOD-323-2 封装。

BAT18,215

NXP Semiconductors · 封装:SOT-23

该型号为二极管,主要参数包括类型 Silicon Planar Diode、反向电压(Vr) 35 V、最大二极管电容 1 pF、最大最大正向电流下串联电阻 700 mOhms、正向电流(If) 100 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 SOT-23 封装。

SMP1321-005LF

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOT-23

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 10 GHz、反向电压(Vr) 100 V、最大二极管电容 0.25 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2 Ω、正向电压(Vf) 0.85 V,采用 SOT-23 封装。

RN731VTE-17

ROHM Semiconductor · 封装:SOD-323-2

该型号为二极管,主要参数包括类型 Attenuator、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 7 Ω、正向电流(If) 50 mA、正向电压(Vf) 1 V,采用 SOD-323-2 封装。

BAR6402ELE6327XTMA1

Infineon Technologies · 封装:TSLP-2

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 64-02EL BAR E6327 SP001114996、单件重量 0.342157 oz,采用 TSLP-2 封装。

BAR 64-05 E6327

Infineon Technologies · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 300 kHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压(Vr) 150 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω,采用 SOT-23-3 封装。

BAR66E6327HTSA1

Infineon Technologies · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 66 BAR BAR66E6327XT E6327 SP000010187、单件重量 0.000282 oz,采用 SOT-23-3 封装。

BAR 64-05W H6327

Infineon Technologies · 封装:SOT-323-3

该型号为二极管,主要参数包括最大二极管电容 0.23 pF、正向电流(If) 100 mA、正向电压(Vf) 1.1 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Dual,采用 SOT-323-3 封装。

GC4731-150A

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 18 GHz、类型 Limiter Pin Diodes、最大二极管电容 0.1 pF、正向电流(If) 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技