NCK2982AHN/T0B/UY
NXP Semiconductors
主要参数包括组装国家或地区 中国台湾、晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 935426323518。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录NCK2982RHN/10102Y
NXP Semiconductors
主要参数包括组装国家或地区 中国台湾、晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 935426295518。NJJ29C0BHN/0F62Y
NXP Semiconductors
主要参数包括组装国家或地区 中国台湾、晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 935353599518。NJJ29C0CHN/0F62Y
NXP Semiconductors
主要参数包括组装国家或地区 中国台湾、晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 935402626518。ADF5902WCCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 24 GHz、类型 ISM Band、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、开发套件 EV-ADF5902SD1Z，采用 LFCSP-32 封装。TX7316ZCX
Texas Instruments · 封装：NFBGA-216
主要参数包括工作频率 200 MHz、类型 Ultrasound Imaging System、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C、湿敏性 是，采用 NFBGA-216 封装。MICRF114T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括单件重量 0.000580 oz，采用 SOT-23-6 封装。ADF5901WCCPZ
Analog Devices · 封装：RF Transmitter
主要参数包括类型 Transmitter、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是、单件重量 2.033614 oz，采用 RF Transmitter 封装。ADF5901ACPZ
Analog Devices
主要参数包括类型 Transmitter、最大工作温度 + 105 C、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是。HMC8200LP5ME
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、工作频率 800 MHz to 4 GHz、类型 Transmitter、最大工作温度 + 85 C、输出功率 - 20 dBm to + 5 dBm、增益 30 dB，采用 LFCSP-32 封装。MAX41464GUB+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-10
主要参数包括工作电源电压 1.8～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、接口类型 I2C、工作频率 300～960 MHz、类型 UHF Transmitter，采用 TSSOP-10 封装。MAX41461GUB+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-10
主要参数包括工作电源电压 2.7 V, 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、接口类型 I2C、工作频率 300～960 MHz、类型 Transmitter with I2C，采用 TSSOP-10 封装。AX5031-1-TW30
ON Semiconductor
RF Transmitter RADIO TRANSMITTERTDA7110F
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 SP000611108 TDA7110FHTMA1 TDA711FXT。TDK5116F
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 870 MHz、频率范围 866～870 MHz、类型 Transmitter、最大工作温度 + 125 C，采用 TSSOP-10 封装。TDK5110F
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 870 MHz、频率范围 433 MHz to 435 MHz, 868 MHz to 870 MHz、类型 Transmitter、最大工作温度 + 125 C，采用 TSSOP-16 封装。TDK5111F
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 317 MHz、频率范围 314～317 MHz、类型 Transmitter、最大工作温度 + 125 C，采用 TSSOP-16 封装。TDA7100
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 2.1 V、工作频率 435 MHz、频率范围 433～435 MHz、类型 Transmitter、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-10 封装。CC115LRGPR
Texas Instruments · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作频率 26 MHz、类型 RF Transmitter、最大工作温度 + 85 C、开发套件 CC11XLDK-868-915，采用 QFN-20 封装。SI4063-B1B-FMR
Silicon Labs · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作频率 142～1050 MHz、类型 High Performance、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。