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BAR141E6327HTSA1

Infineon Technologies · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 14-1 BAR BAR141E6327XT E6327 SP000010164、单件重量 0.000282 oz,采用 SOT-23-3 封装。

BAR 63-06 E6327

Infineon Technologies · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 3 GHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Switch、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω,采用 SOT-23-3 封装。

SMP1321-079LF

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SC-79

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 10 GHz、反向电压(Vr) 100 V、最大二极管电容 0.25 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2 Ω、正向电压(Vf) 0.85 V,采用 SC-79 封装。

BAR6502VH6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装:SOD-523-2

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 65-02V BAR BAR652VH6327XT H6327 SP000743446、单件重量 0.050717 oz,采用 SOD-523-2 封装。

1SV267-TB-E

ON Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.23 pF、正向电流(If) 50 mA、正向电压(Vf) 0.91 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)。

BAT 18-04 E6327

Infineon Technologies · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 Switch、反向电压(Vr) 35 V、最大二极管电容 1 pF、最大最大正向电流下串联电阻 700 mOhms,采用 SOT-23-3 封装。

BAR6403WE6327HTSA1

Infineon Technologies · 封装:SOD-323-2

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 64-03W BAR BAR643WE6327XT E6327 SP000010179、单件重量 0.001164 oz,采用 SOD-323-2 封装。

MA4L022-134

MACOM · 封装:Schottky Diodes & Rectifiers

该型号为二极管,采用 Schottky Diodes & Rectifiers 封装。

CLA4606-000

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:PIN Diodes

该型号为二极管,采用 PIN Diodes 封装。

BAP51-04W,115

NXP Semiconductors · 封装:SC-70

该型号为二极管,主要参数包括反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2.5 Ω、正向电流(If) 50 mA、正向电压(Vf) 1.1 V、最小工作温度 - 65 C,采用 SC-70 封装。

MA4PK3000

MACOM · 封装:Details

该型号为二极管,采用 Details 封装。

SMP1340-007LF

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOT-23

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 10 GHz、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.2 Ω、正向电压(Vf) 0.85 V,采用 SOT-23 封装。

BAR 63-05W H6327

Infineon Technologies · 封装:SOT-323-3

该型号为二极管,主要参数包括最大二极管电容 0.3 pF、正向电流(If) 100 mA、正向电压(Vf) 0.95 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Common Cathode,采用 SOT-323-3 封装。

SMP1352-005LF

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:$3.15

该型号为二极管,采用 $3.15 封装。

RN771VFHTE-17

ROHM Semiconductor · 封装:SOD-323FL-2

该型号为二极管,主要参数包括类型 PIN Diode、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.9 pF、最大最大正向电流下串联电阻 7 Ω、正向电流(If) 50 mA、正向电压(Vf) 1 V,采用 SOD-323FL-2 封装。

BAP65-05W,115

NXP Semiconductors · 封装:SOT-323

该型号为二极管,主要参数包括类型 Attenuator or Switch、反向电压(Vr) 30 V、最大二极管电容 0.8 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms、正向电流(If) 100 mA、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 SOT-323 封装。

MA4P303-134

MACOM · 封装:ODS-134 Die

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 20 MHz、最大工作频率 1.8 GHz、类型 Pin Diode、反向电压(Vr) 200 V、最大二极管电容 0.15 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω,采用 ODS-134 Die 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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