BAP64-05W,135
NXP Semiconductors · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 350 fF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 950 mV，采用 SOD-323-2 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BAP64LX,315
NXP Semiconductors · 封装：SOD-882T
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、类型 Planar、反向电压（Vr） 60 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流（If） 100 mA，采用 SOD-882T 封装。BAP64-05W,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-323-3
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 0.52 pF、最大最大正向电流下串联电阻 700 mOhms、正向电流（If） 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。SMP1331-079LF
Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。BAP50-04,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 5 Ω、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.1 V、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23 封装。BAR 64-06W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为二极管，主要参数包括最大二极管电容 0.23 pF、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1.1 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Dual，采用 SOT-323-3 封装。DAN235UT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switch、反向电压（Vr） 35 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms、正向电压（Vf） 1 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-323-3 封装。1SV251-TB-E
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.23 pF、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 0.92 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、单件重量 0.000282 oz，采用 SC-59 封装。SMP1307-005LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOT-23
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 5 MHz、最大工作频率 2 GHz、反向电压（Vr） 200 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 3 Ω、正向电压（Vf） 0.85 V，采用 SOT-23 封装。BAP65-03,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-323
该型号为二极管，主要参数包括类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.8 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SOD-323 封装。SMP1307-003LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：$1.63
该型号为二极管，采用 $1.63 封装。BAP70-03,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-323
该型号为二极管，主要参数包括类型 Attenuator、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.25 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.9 Ω、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SOD-323 封装。RN739DT146
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 7 Ω。BAR 64-06 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 300 kHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 150 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω，采用 SOT-23-3 封装。BAP51-03,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-323
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2.5 Ω、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.1 V、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323 封装。MA4FCP200
MACOM · 封装：ODS-1264 Die
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 100 MHz、最大工作频率 40 GHz、类型 Pin Diode、反向电压（Vr） 70 V、最大二极管电容 0.02 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2.8 Ω，采用 ODS-1264 Die 封装。BAR 64-04W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为二极管，主要参数包括最大二极管电容 0.23 pF、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1.1 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Dual，采用 SOT-323-3 封装。BAP64-05,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 175 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω、正向电流（If） 100 mA，采用 SOT-23 封装。APD2220-000
Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。MA4P404-30
MACOM
该型号为二极管，主要参数包括单件重量 0.008818 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。