SIBG301M114KIHB0
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。射频与无线
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20,447 条型号记录SIBG301M114KIHB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。SIMG301M103LIHB0
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 384 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。SIMG301M103LIHB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 384 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。SIMG301M104LGHB0
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。SIMG301M104LGHB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。SIMG301M104LGLB0
Silicon Labs · 封装：QFN-40
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。SIMG301M104LGLB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-40
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。SiWG917M111XGTBA
Silicon Labs · 封装：QFN-84
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 45 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-84 封装。SiWG917M111XGTBAR
Silicon Labs · 封装：QFN-84
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 45 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-84 封装。SiWG917M121XGTBA
Silicon Labs · 封装：QFN-84
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、数据 RAM 容量 2 MB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 45 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V，采用 QFN-84 封装。SiWG917M121XGTBAR
Silicon Labs · 封装：QFN-84
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 45 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-84 封装。SiWG917M141XGTBA
Silicon Labs · 封装：QFN-84
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、数据 RAM 容量 8 MB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 45 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V，采用 QFN-84 封装。SiWG917M141XGTBAR
Silicon Labs · 封装：QFN-84
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 45 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-84 封装。SiWN917M100LGTBA
Silicon Labs · 封装：QFN-64
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 672 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 44 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道，采用 QFN-64 封装。SiWN917M100LGTBAR
Silicon Labs · 封装：QFN-64
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 672 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 44 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道，采用 QFN-64 封装。SiWT917M100XGTBA
Silicon Labs · 封装：QFN-84
主要参数包括最大时钟频率 180 MHz、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 45 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-84 封装。STM32WB07CCV6TR
STMicroelectronics · 封装：VFQFPN-48
主要参数包括程序存储容量 256 kB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大数据速率 2 Mbps、工作频率 2.4 GHz、技术 Si，采用 VFQFPN-48 封装。STM32WB07CCV7TR
STMicroelectronics · 封装：VFQFPN-48
主要参数包括程序存储容量 256 kB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大数据速率 2 Mbps、工作频率 2.4 GHz、技术 Si，采用 VFQFPN-48 封装。STM32WB07KCV6TR
STMicroelectronics · 封装：VFQFPN-48
主要参数包括程序存储容量 256 kB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大数据速率 2 Mbps、工作频率 2.4 GHz、技术 Si，采用 VFQFPN-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。