JDP2S02AFS(TPL3)
Toshiba · 封装：fSC-2
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 PIN Diodes、反向电压（Vr） 30 V、配置 Single、端接方式 表面贴装（SMD/SMT），采用 fSC-2 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录CLA4604-000
Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。CPINF5204-HF
Comchip Technology · 封装：SOD-323F-2
该型号为二极管，主要参数包括类型 PIN Diodes、反向电压（Vr） 180 V、最大二极管电容 0.9 pF、最大最大正向电流下串联电阻 750 mOhms、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOD-323F-2 封装。BA679S-GS08
Vishay Semiconductors · 封装：SOD-80
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 3 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 50 Ω，采用 SOD-80 封装。1N5767
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。HUM2020B
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 0.5 GHz、类型 High Power Pin Diodes、反向电压（Vr） 2000 V、最大二极管电容 4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 200 mOhms、正向电流（If） 500 mA。UM4010DR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括类型 High Power Pin Diodes、反向电压（Vr） 1000 V、最大二极管电容 3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 500 mOhms、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1 V。UM4301B
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 1 GHz、类型 Switching Pin Diodes、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 2.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流（If） 100 mA。SM0512-M1
Microchip / Microsemi · 封装：MELF
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 2 GHz、类型 Control Pin Diodes Devices、最大二极管电容 1.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 250 mOhms、正向电流（If） 100 mA、最小工作温度 - 55 C，采用 MELF 封装。UM9415
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。LXP1002-23-4
Microchip / Microsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 5 GHz、类型 High Performance Attenuator Pin Diodes、反向电压（Vr） 50 V、最大最大正向电流下串联电阻 4 Ω、正向电流（If） 100 mA、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。SM0502-M1
Microchip / Microsemi · 封装：MELF
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 2 GHz、类型 Control Pin Diodes Devices、反向电压（Vr） 500 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 700 mOhms、正向电流（If） 100 mA，采用 MELF 封装。GC4271-01
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 12 GHz、类型 High Speed Pin Diodes、反向电压（Vr） 75 V、最大二极管电容 0.1 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω、正向电流（If） 20 mA。SMP1302-001LF
Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。BA779-2-HG3-18
Vishay Semiconductors · 封装：SOT-23-3
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 1 GHz、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 50 Ω、正向电流（If） 50 mA，采用 SOT-23-3 封装。SMP1352-011LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOD-323
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 10 GHz、反向电压（Vr） 200 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω、正向电压（Vf） 0.8 V，采用 SOD-323 封装。BAP142LX,315
NXP Semiconductors · 封装：SOD-882T
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 300 MHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Planar、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.26 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.3 Ω，采用 SOD-882T 封装。BA779-HG3-08
Vishay Semiconductors · 封装：SOT-23-3
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 1 GHz、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 50 Ω、正向电流（If） 50 mA，采用 SOT-23-3 封装。HUM2020D
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 0.5 GHz、类型 High Power Pin Diodes、反向电压（Vr） 2000 V、最大二极管电容 4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 200 mOhms、正向电流（If） 500 mA。UM4301D
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 1 GHz、类型 Switching Pin Diodes、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 2.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流（If） 100 mA。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。