EFR32ZG28B322F1024IM68-AR
Silicon Labs · 封装：QFN-68
主要参数包括程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 256 kB、技术 Si、类型 Sub-GHz、数据 RAM 类型 RAM、程序存储器类型 Flash，采用 QFN-68 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录EM356-RT
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。EM356-RTR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。RS9116N-SB00-QMS-B00
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、类型 Bluetooth, Wi-Fi、原产国家或地区 SG、湿敏性 是。RS9116N-SB00-QMS-B00R
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 1.75 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 I2C, I2S, SPI, UART, USB、技术 Si、类型 Bluetooth, Wi-Fi、接收电源电流 48.2 mA。RS9116W-SB00-QMS-B2A
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 1.75 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 SPI, UART, USB、技术 Si、类型 Wi-Fi、最小工作温度 - 40 C。RS9116W-SB00-QMS-B2AR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 1.75 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 I2C, I2S, SPI, UART, USB、技术 Si、类型 Bluetooth, Wi-Fi、接收电源电流 48.2 mA。SD3502A-CNE3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、湿敏性 是。SD3502A-CNE3R
Silicon Labs
主要参数包括程序存储容量 128 kB、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大数据速率 100 kbps、工作频率 865.2～926.3 MHz、技术 Si。SD3503A-CNE3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、湿敏性 是。SD3503A-CNE3R
Silicon Labs
主要参数包括程序存储容量 128 kB、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大数据速率 100 kbps、工作频率 865.2～926.3 MHz、技术 Si。SIBG301M104LGLB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-40
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 28 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。SIBG301M104LIHB0
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。SIBG301M104LIHB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。SIBG301M104LILB0
Silicon Labs · 封装：QFN-40
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 28 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。SIBG301M104LILB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-40
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 28 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。SIBG301M104XILB0
Silicon Labs · 封装：QFN-40
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 22 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-40 封装。SIBG301M104XILB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-40
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 22 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-40 封装。SIBG301M114KGHB0
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。SIBG301M114KGHB0R
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。