BAR 15-1 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 3 MHz、最大工作频率 30 MHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 12 Ω，采用 SOT-23-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-2
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 63-02L BAR BAR632LE6327XT E6327 SP000013537、单件重量 0.000018 oz，采用 TSLP-2 封装。BAR 64-04 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 1 MHz、最大工作频率 6 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 150 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 20 Ω，采用 SOT-23-3 封装。BAR 65-02V H6327
Infineon Technologies · 封装：SC79-2
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 30 V、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 0.93 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Single，采用 SC79-2 封装。BAR 64-02EL E6327
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 BAR6402ELE6327XTMA1 SP001114996。BAR 50-02V H6327
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 BAR5002VH6327XTSA1 BAR52VH6327XT SP000742882。BAR 64-02V H6327
Infineon Technologies · 封装：SC-79-2
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 1 MHz、最大工作频率 6 GHz、类型 Pin Diode、反向电压（Vr） 150 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 135 Ω，采用 SC-79-2 封装。BAR5002VH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOD-523-2
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 50-02V BAR BAR52VH6327XT H6327 SP000742882、单件重量 0.050717 oz，采用 SOD-523-2 封装。BAR 63-02V H6327
Infineon Technologies · 封装：SC-79-2
该型号为二极管，主要参数包括最大二极管电容 0.3 pF、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 0.95 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Single，采用 SC-79-2 封装。BAR 63-03W E6327
Infineon Technologies · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 3 GHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Switch、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω，采用 SOD-323-2 封装。BAR 63-02L E6327
Infineon Technologies · 封装：TSLP-2
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 3 GHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Switch、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω，采用 TSLP-2 封装。BAP65-02,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-523
该型号为二极管，主要参数包括类型 Silicon PIN Diode、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.9 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 0.9 V，采用 SOD-523 封装。BAP70-02,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-523
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 300 MHz、类型 Attenuator、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.25 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.9 Ω，采用 SOD-523 封装。BAP51-06W,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 550 fF、最大最大正向电流下串联电阻 2.5 Ω、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 950 mV、配置 Single，采用 SOD-323-2 封装。BAP64-04W,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-323
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω、正向电流（If） 100 mA，采用 SOT-323 封装。1N23ER
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 8 GHz、最大工作频率 12.4 GHz。SMP1331-040LF
Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。CDB7620-000
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：Hermetic Stripline
该型号为二极管，主要参数包括类型 Detector、反向电压（Vr） 2 V、最大二极管电容 0.15 pF、最大最大正向电流下串联电阻 30 Ω、正向电压（Vf） 250～350 mV、高度 0.216 mm，采用 Hermetic Stripline 封装。SMP1320-075LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SC-70
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 10 GHz、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms、正向电压（Vf） 0.85 V，采用 SC-70 封装。CPINUC5206-HF
Comchip Technology · 封装：SOD-523F-2
该型号为二极管，主要参数包括类型 PIN Diodes、反向电压（Vr） 180 V、最大二极管电容 0.15 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOD-523F-2 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。