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EFM32PG28B300F512IM68-AR

Silicon Labs

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、商品名称 EFM32。

EFM32PG28B310F1024IM68-A

Silicon Labs

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 EFM32。

88MW322-A0-NXU2C000-P123

NXP Semiconductors · 封装:QFN-88

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 50 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-88 封装。

88MW322-A0-NXU2E000

NXP Semiconductors · 封装:QFN-88

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 50 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-88 封装。

NRF52805-CAAA-B-R

Nordic Semiconductor · 封装:WLSCP-28

主要参数包括最大时钟频率 64 MHz、程序存储容量 192 kB、数据 RAM 容量 24 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 10 个输入/输出、ADC 通道数 2 个通道,采用 WLSCP-28 封装。

88MW300-B0-NAP2I000

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 GPIO, I2C, I2S, SPI, QSPI, UART, USB,采用 QFN-68 封装。

88MW300-B0-NAP2E000

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 GPIO, I2C, I2S, SPI, QSPI, UART, USB,采用 QFN-68 封装。

88MW300-B0-NAP2E000-P123

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 GPIO, I2C, I2S, SPI, QSPI, UART, USB,采用 QFN-68 封装。

88MW300-B0-NAP2I000-P123

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 GPIO, I2C, I2S, SPI, QSPI, UART, USB,采用 QFN-68 封装。

88MW322-A0-NXU2C000

NXP Semiconductors · 封装:QFN-88

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 50 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-88 封装。

88MW302-B0-NXU2E000

NXP Semiconductors · 封装:QFN-88

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 GPIO, I2C, I2S, SPI, QSPI, UART, USB,采用 QFN-88 封装。

88MW302-B0-NXU2E000-P123

NXP Semiconductors · 封装:QFN-88

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 GPIO, I2C, I2S, SPI, QSPI, UART, USB,采用 QFN-88 封装。

88MW320-A0-NAP2C000

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 35 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-68 封装。

88MW320-A0-NAP2C000-P123

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 35 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-68 封装。

88MW320-A0-NAP2E000

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 35 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-68 封装。

88MW320-A0-NAP2E000-P123

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 35 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-68 封装。

88MW320-A0-NAP2I000

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 35 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-68 封装。

88MW320-A0-NAP2I000-P123

NXP Semiconductors · 封装:QFN-68

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 bit, 16 bit、输入/输出数 35 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V,采用 QFN-68 封装。

TLSR8208B

Telink · 封装:QFN-24

主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 14 位、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.8 V,采用 QFN-24 封装。

TLSR8251F512ET32

Telink · 封装:QFN-32

主要参数包括最大时钟频率 32 kHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、ADC 分辨率 14 位、输入/输出数 17 个输入/输出、ADC 通道数 10 个通道,采用 QFN-32 封装。

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