BAP64-03,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-323
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 175 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω、正向电流（If） 100 mA，采用 SOD-323 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BAR 67-02V H6327
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 BAR6702VH6327XTSA1 BAR672VH6327XT SP000743448。BAP50-02,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-523
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 5 Ω、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.1 V、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-523 封装。RN141GT2R
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switch、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.8 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2 Ω、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1 V。1SV249-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SC-70
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.23 pF、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 0.92 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、单件重量 0.000988 oz，采用 SC-70 封装。BAP65LX,315
NXP Semiconductors · 封装：SOD-882T
该型号为二极管，主要参数包括类型 Planar、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.7 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SOD-882T 封装。RN142GT2R
ROHM Semiconductor · 封装：VMD-2
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switch、反向电压（Vr） 60 V、最大二极管电容 0.45 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2 Ω、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1 V，采用 VMD-2 封装。BAP64-06,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 175 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω、正向电流（If） 100 mA，采用 SOT-23 封装。RN739FT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 7 Ω，采用 SOT-323-3 封装。BA479G-TR
Vishay Semiconductors · 封装：DO-35
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 3 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 50 Ω，采用 DO-35 封装。BAP50LX,315
NXP Semiconductors · 封装：SOD-882T
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 3 GHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Planar、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 5 Ω，采用 SOD-882T 封装。BAR 65-03W E6327
Infineon Technologies · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 300 MHz、类型 Switch、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.8 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms，采用 SOD-323-2 封装。BAR 63-05 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 3 GHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Switch、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω，采用 SOT-23-3 封装。BAP64-04,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 175 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω、正向电流（If） 100 mA，采用 SOT-23 封装。DAN235ETL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switch、反向电压（Vr） 35 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms、正向电压（Vf） 1 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-416-3 封装。BAR6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOD-523-2
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 64-02V BAR BAR642VH6327XT H6327 SP000743408、单件重量 0.050717 oz，采用 SOD-523-2 封装。MA4PK2000
MACOM · 封装：ODS-1027
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 100 kHz、最大工作频率 500 MHz、类型 Pin Diode、反向电压（Vr） 2000 V、最大二极管电容 3.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 200 mOhms，采用 ODS-1027 封装。MA4P604-131
MACOM · 封装：ODS-131 Die
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 500 kHz、最大工作频率 8 GHz、类型 Pin Diode、反向电压（Vr） 1000 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω，采用 ODS-131 Die 封装。BAR 64-03W E6327
Infineon Technologies · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 300 kHz、最大工作频率 30 GHz、类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 150 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.35 Ω，采用 SOD-323-2 封装。BAP70Q,125
NXP Semiconductors · 封装：TSOP-5
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 300 fF、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 950 mV、型号别名 934064657125、单件重量 0.000371 oz，采用 TSOP-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。