GMP4211-GM1
Microchip / Microsemi · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 8 GHz、类型 GigaMite Limiter Pin Diodes、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 0.18 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2.4 Ω、正向电流（If） 20 mA，采用 SOD-323-2 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录GMP4232-GM1
Microchip / Microsemi · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 5 GHz、类型 GigaMite Limiter Pin Diodes、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.4 Ω、正向电流（If） 100 mA、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-323-2 封装。GMP4201-GM1
Microchip / Microsemi · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 8 GHz、类型 GigaMite Limiter Pin Diodes、反向电压（Vr） 75 V、最大二极管电容 0.18 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.2 Ω、正向电流（If） 20 mA，采用 SOD-323-2 封装。GMP4235-GM1
Microchip / Microsemi · 封装：SOD-323-2
该型号为二极管，主要参数包括最大工作频率 2 GHz、类型 GigaMite Limiter Pin Diodes、反向电压（Vr） 250 V、最大二极管电容 0.6 pF、最大最大正向电流下串联电阻 800 mOhms、正向电流（If） 20 mA，采用 SOD-323-2 封装。MMP7065-11
MACOM
该型号为二极管，主要参数包括类型 High Power PIN Diodes、最大二极管电容 0.08 pF、最大最大正向电流下串联电阻 8 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、载流子寿命 1.5 ns。MADP-000402-12530P
MACOM
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 50 MHz、最大工作频率 18 GHz、反向电压（Vr） 100 V、最大二极管电容 0.06 pF、最大最大正向电流下串联电阻 5.8 Ω、正向电流（If） 250 mA。RN262GT2R
ROHM Semiconductor · 封装：VMD-2
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switch、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1 V，采用 VMD-2 封装。BAP65-05,215
NXP Semiconductors · 封装：TO-236AB
该型号为二极管，主要参数包括类型 Attenuator or Switch、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.8 pF、最大最大正向电流下串联电阻 900 mOhms、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TO-236AB 封装。BAR 63-06W H6327
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 BAR6306WH6327XTSA1 BAR636WH6327XT SP000743402。BA891,115
NXP Semiconductors · 封装：SOD-523
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 300 MHz、类型 Switch、反向电压（Vr） 35 V、最大二极管电容 0.9 pF、最大最大正向电流下串联电阻 500 mOhms，采用 SOD-523 封装。SMP1304-085LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-3
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 6 GHz、反向电压（Vr） 200 V、最大二极管电容 0.23 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2 Ω、正向电压（Vf） 0.8 V，采用 QFN-3 封装。CLA4611-085LF
Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。MADP-007155-0287DT
MACOM
该型号为二极管。RN142ZS8ATE61
ROHM Semiconductor · 封装：HMD-8
该型号为二极管，主要参数包括类型 High Frequency Switching、反向电压（Vr） 30 V、最大二极管电容 0.45 pF、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1 V、反向电流（Ir） 0.1 uA，采用 HMD-8 封装。SMP1302-011LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：MLP-2
该型号为二极管，采用 MLP-2 封装。BAP70AM,115
NXP Semiconductors · 封装：SC-88
该型号为二极管，主要参数包括类型 Attenuator、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.25 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.9 Ω、正向电流（If） 100 mA、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SC-88 封装。1SV263-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SC-70
该型号为二极管，主要参数包括反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.23 pF、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 0.95 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、单件重量 0.000988 oz，采用 SC-70 封装。1SV308,L3F
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括类型 PIN Diodes。SMP1340-040LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOD-882
该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 10 MHz、最大工作频率 10 GHz、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.2 Ω、正向电压（Vf） 0.85 V，采用 SOD-882 封装。RN779DT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为二极管，主要参数包括类型 Attenuator、反向电压（Vr） 50 V、最大二极管电容 0.9 pF、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1 V、反向电流（Ir） 100 nA，采用 SC-59-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。