EC686-3
KYOCERA AVX · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 3 GHz、开关配置 SP4T、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MSP2TA-18XL+
Mini-Circuits · 封装：57.15 mm x 50.8 mm
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 25 V、电源电压（最小值） 23 V、最小频率 0 Hz、最大频率 18 GHz、工作频率 0 Hz to 18 GHz、开关配置 SPDT，采用 57.15 mm x 50.8 mm 封装。MSP2TA-18-12BM+
Mini-Circuits · 封装：FP-914
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 18 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.25 dB、关断隔离度（典型值） 80 dB，采用 FP-914 封装。MSP2TA-18-BM+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 25 V、电源电压（最小值） 23 V、最小频率 18 GHz、最大频率 0 Hz、工作频率 0 Hz to 18 GHz、技术 Si。MSP6TA-12+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 25 V、电源电压（最小值） 23 V、最小频率 0 Hz、最大频率 12 GHz、工作频率 0 Hz to 12 GHz、开关配置 SP6T。MSW-2-20+
Mini-Circuits · 封装：5.33 mm x 4.14 mm x 1.96 mm
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 2 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.75 dB、关断隔离度（典型值） 24 dB，采用 5.33 mm x 4.14 mm x 1.96 mm 封装。ADRF5022BCCZN-R7
Analog Devices · 封装：LGA-20
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最小频率 100 MHz、最大频率 45 GHz、工作频率 100 MHz to 45 GHz、技术 Si，采用 LGA-20 封装。ADRF5022BCCZN
Analog Devices · 封装：LGA-20
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最小频率 100 MHz、最大频率 45 GHz、工作频率 100 MHz to 45 GHz、技术 Si，采用 LGA-20 封装。HMC321ALP4ETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP8T。HMC190BMS8ETR
Analog Devices · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.4 dB、关断隔离度（典型值） 30 dB，采用 MSOP-8 封装。HMC321ALP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP8T，采用 QFN-24 封装。HMC536MS8GETR
Analog Devices · 封装：MS8G-8
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 MS8G-8 封装。HMC536MS8GE
Analog Devices · 封装：MS8G-8
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 MS8G-8 封装。HMC536LP2ETR
Analog Devices · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1 dB、关断隔离度（典型值） 29 dB，采用 DFN-6 封装。HMC536LP2E
Analog Devices · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1 dB、关断隔离度（典型值） 29 dB，采用 DFN-6 封装。BGC100GN6E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.4 V、电源电压（最小值） 1.6 V、最小频率 600 MHz、最大频率 2.7 GHz、工作频率 600 MHz to 2.7 GHz、技术 Si，采用 TSNP-6 封装。BGSX22G6U10E6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 400 MHz、最大频率 7.125 GHz、开关配置 DPDT、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、组装国家或地区 马来西亚。BGSX24M2U16E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：ULGA-16-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 1.3 V、电源电压（最小值） 1.1 V、最小频率 400 MHz、最大频率 7.125 GHz、技术 Si、开关配置 DP4T，采用 ULGA-16-6 封装。BGSX24MU16E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：PG-ULGA-16-1
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 5 GHz、开关配置 DP4T、插入损耗 1.9 dB、关断隔离度（典型值） 52 dB、最小工作温度 - 40 C，采用 PG-ULGA-16-1 封装。BGSX33M5U16E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：ULGA-16-5
该型号为集成电路，主要参数包括开关配置 3P3T、原产国家或地区 马来西亚、开关数 Triple、型号别名 BGSX 33M5U16 E6327 SP005425077，采用 ULGA-16-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。