SW-204-PIN
MACOM
该型号为集成电路，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SW-119-PIN
MACOM
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 美国。SW-114-PIN
MACOM
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 美国。SW-112-PIN
MACOM
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 美国。SW-111-PIN
MACOM
该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 美国。SW-110-PIN
MACOM
该型号为集成电路，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。MMS004AA
Microchip Technology
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 50 GHz、技术 Si、原产国家或地区 美国。MMS006AA
Microchip Technology · 封装：Die
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 Die 封装。MMS006PP3
Microchip Technology
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB。MMS006PP3/TR
Microchip Technology
该型号为集成电路。MMS006PP3E
Microchip Technology
该型号为集成电路，主要参数包括技术 Si。MMS008AA
Microchip Technology · 封装：Die
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T、插入损耗 1.6 dB、关断隔离度（典型值） 45 dB，采用 Die 封装。MMS008PP3
Microchip Technology
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T、插入损耗 1.7 dB、关断隔离度（典型值） 43 dB。MMS008PP3/TR
Microchip Technology
该型号为集成电路。MPS2R11-608
Microchip Technology · 封装：Die
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.75 dB、关断隔离度（典型值） 38 dB，采用 Die 封装。NSG1001MXTAG
onsemi · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 8.5 GHz、工作频率 100 MHz to 8.5 GHz、开关配置 SPDT、插入损耗 0.65 dB、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-6 封装。NSVG1001MXTAG
onsemi · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 8.5 GHz、工作频率 100 MHz to 8.5 GHz、开关配置 SPDT、插入损耗 0.65 dB、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-6 封装。SKY85614-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 4.9 GHz、最大频率 5.9 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 6 dB、原产国家或地区 马来西亚，采用 QFN-16 封装。SKYA21037
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-12
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.1 V、电源电压（最小值） 1.35 V、最小频率 400 MHz、最大频率 3.8 GHz、技术 Si、开关配置 DPDT，采用 QFN-12 封装。JSW6-23DR-75+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 2 GHz、技术 Si、原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。