HMC646LP2ETR
Analog Devices · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 100 MHz、最大频率 2.1 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 DFN-6 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC646LP2E
Analog Devices · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 100 MHz、最大频率 2.1 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 DFN-6 封装。HMC641ATCPZ-EP-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 3 V、电源电压（最小值） - 5 V、最小频率 100 MHz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 LFCSP-24 封装。HMC641ATCPZ-EP-PT
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 3 V、电源电压（最小值） - 5 V、最小频率 100 MHz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 LFCSP-24 封装。HMC641ALP4ETR
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
该型号为集成电路，主要参数包括技术 GaAs、原产国家或地区 韩国，采用 LFCSP-24 封装。HMC641ALP4E
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 5.5 V、电源电压（最小值） - 4.5 V、最小频率 100 MHz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 LFCSP-24 封装。HMC641ALC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 5.5 V、电源电压（最小值） - 4.5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 QFN-24 封装。HMC641A-SX
Analog Devices · 封装：Die
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 18 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T、插入损耗 2.3 dB、关断隔离度（典型值） 38 dB，采用 Die 封装。HMC596LP4ETR
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、最小频率 200 MHz、最大频率 3 GHz、技术 Si、开关配置 SP8T、插入损耗 7.5 dB，采用 QFN-24 封装。HMC596LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、最小频率 200 MHz、最大频率 3 GHz、技术 Si、插入损耗 7.5 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 QFN-24 封装。HMC550AETR
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.2 V、最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPST，采用 SOT-23-6 封装。HMC550AE
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.2 V、最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPST，采用 SOT-23-6 封装。HMC547ALP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 2.5 dB、关断隔离度（典型值） 36 dB，采用 QFN-16 封装。HMC547ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 2.5 dB、关断隔离度（典型值） 36 dB，采用 QFN-16 封装。HMC547ALC3TR
Analog Devices · 封装：SMT-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 28 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 3.1 dB、关断隔离度（典型值） 34 dB，采用 SMT-16 封装。HMC547ALC3
Analog Devices · 封装：SMT-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 28 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 3.1 dB、关断隔离度（典型值） 34 dB，采用 SMT-16 封装。HMC546MS8GETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 200 MHz、最大频率 2.7 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT。HMC546MS8GE
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 200 MHz、最大频率 2.7 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT。HMC546LP2ETR
Analog Devices · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 200 MHz、最大频率 2.7 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 DFN-6 封装。HMC546LP2E
Analog Devices · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 200 MHz、最大频率 2.7 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 DFN-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。