HMC322ALP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP8T、插入损耗 2.5 dB、关断隔离度（典型值） 35 dB，采用 QFN-24 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录HMC322ALP4ETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP8T、插入损耗 2.5 dB、关断隔离度（典型值） 35 dB。HMC344ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 5.5 V、电源电压（最小值） - 4.5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 QFN-16 封装。HMC344ALP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 5.5 V、电源电压（最小值） - 4.5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 QFN-16 封装。HMC344ATCPZ-EP-PT
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 3 V、电源电压（最小值） - 5 V、最小频率 100 MHz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 LFCSP-16 封装。HMC344ATCPZ-EP-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 3 V、电源电压（最小值） - 5 V、最小频率 100 MHz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 LFCSP-16 封装。HMC345ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 QFN-16 封装。HMC345ALP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 QFN-16 封装。HMC347A-SX
Analog Devices · 封装：Die
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 2.1 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 Die 封装。HMC347ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 14 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 QFN-16 封装。HMC347ALP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 14 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB，采用 QFN-16 封装。HMC347B-SX
Analog Devices · 封装：WP-8
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 20 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.7 dB、关断隔离度（典型值） 45 dB，采用 WP-8 封装。HMC349ALP4CE
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.4 dB，采用 QFN-16 封装。HMC349ALP4CETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.4 dB，采用 QFN-16 封装。HMC349AMS8GE
Analog Devices · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.8 dB，采用 MSOP-8 封装。HMC349AMS8GETR
Analog Devices · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.8 dB，采用 MSOP-8 封装。HMC435AMS8GE
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB。HMC435AMS8GETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB。HMC849ALP4CETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 QFN-16 封装。HMC849ALP4CE
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。