HMC1055LP2CE
Analog Devices · 封装：DFN-EP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.2 V、最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPST，采用 DFN-EP-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC1055LP2CETR
Analog Devices · 封装：DFN-EP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.2 V、最小频率 0 Hz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPST，采用 DFN-EP-8 封装。HMC1084LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 23 GHz、最大频率 30 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T、插入损耗 2.8 dB、关断隔离度（典型值） 26 dB，采用 QFN-24 封装。HMC194AMS8E
Analog Devices · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.5 dB、关断隔离度（典型值） 55 dB，采用 MSOP-8 封装。HMC194AMS8ETR
Analog Devices · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.5 dB、关断隔离度（典型值） 55 dB，采用 MSOP-8 封装。HMC197BETR
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.4 dB、关断隔离度（典型值） 24 dB，采用 SOT-23-6 封装。HMC232ALP4ETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 12 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 2.5 dB、关断隔离度（典型值） 45 dB。HMC241ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 100 MHz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 QFN-16 封装。HMC241ALP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 100 MHz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 QFN-16 封装。HMC241AQS16E
Analog Devices · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 3.5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 QSOP-16 封装。HMC241AQS16ETR
Analog Devices · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3.5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T、插入损耗 1 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 SSOP-16 封装。HMC241ATCPZ-EP-PT
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 100 MHz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 LFCSP-16 封装。HMC241ATCPZ-EP-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 100 MHz、最大频率 4 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP4T，采用 LFCSP-16 封装。HMC253ALC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 3.5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP8T、插入损耗 1.9 dB，采用 QFN-24 封装。HMC253ALC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3.5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP8T、插入损耗 1.9 dB、关断隔离度（典型值） 33 dB，采用 QFN-24 封装。HMC253ALC4TR-R5
Analog Devices · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3.5 GHz、技术 Si、原产国家或地区 美国、单件重量 0.013975 oz，采用 QFN-24 封装。HMC253AQS24E
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 2.5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP8T、插入损耗 1.4 dB。HMC253AQS24ETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 2.5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SP8T、插入损耗 1.4 dB、关断隔离度（典型值） 33 dB。HMC284AMS8GE
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3.5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB。HMC284AMS8GETR
Analog Devices
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 3.5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。