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Analog Devices · 封装:LGA-24
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 1 GHz、最大频率 60 GHz、工作频率 1~60 GHz、技术 Si,采用 LGA-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:LGA-24
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 1 GHz、最大频率 60 GHz、工作频率 1~60 GHz、技术 Si,采用 LGA-24 封装。Analog Devices · 封装:LGA-24
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 1 GHz、最大频率 60 GHz、工作频率 1~60 GHz、开关配置 SP4T,采用 LGA-24 封装。Analog Devices · 封装:LGA-36
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 100 MHz、最大频率 20 GHz、工作频率 100 MHz to 20 GHz、开关配置 SP8T,采用 LGA-36 封装。Analog Devices · 封装:LGA-36
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 100 MHz、最大频率 20 GHz、工作频率 100 MHz to 20 GHz、开关配置 SP8T,采用 LGA-36 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 6 GHz、最大频率 12 GHz、工作频率 6~12 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 6 GHz、最大频率 12 GHz、工作频率 6~12 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 8 GHz、最大频率 11 GHz、工作频率 8~11 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 8 GHz、最大频率 11 GHz、工作频率 8~11 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 1 GHz、最大频率 20 GHz、工作频率 1~20 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 1 GHz、最大频率 20 GHz、工作频率 1~20 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-24
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) - 3.45 V、最小频率 400 MHz、最大频率 8 GHz、工作频率 400 MHz to 8 GHz、开关配置 SPDT,采用 LFCSP-24 封装。Analog Devices
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 24 GHz、最大频率 32 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.1 dB、关断隔离度(典型值) 38 dB。Analog Devices
该型号为集成电路,主要参数包括最大频率 24 GHz、组装国家或地区 韩国、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 37 GHz、最大频率 49 GHz、工作频率 37~49 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 37 GHz、最大频率 49 GHz、工作频率 37~49 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最小频率 37 GHz、最大频率 49 GHz、工作频率 37~49 GHz、技术 Si,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、最小频率 1.8 GHz、最大频率 3.8 GHz、工作频率 1.8~3.8 GHz、插入损耗 0.42 dB,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、最小频率 1.8 GHz、最大频率 3.8 GHz、工作频率 1.8~3.8 GHz、插入损耗 0.42 dB,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:LGA-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、最小频率 1.8 GHz、最大频率 3.8 GHz、工作频率 1.8~3.8 GHz、插入损耗 0.42 dB,采用 LGA-20 封装。Analog Devices · 封装:C-14-6
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 18 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 3 dB、关断隔离度(典型值) 55 dB,采用 C-14-6 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。