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Mini-Circuits · 封装:5.33 mm x 4.14 mm x 1.96 mm
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 2 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度(典型值) 30 dB,采用 5.33 mm x 4.14 mm x 1.96 mm 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Mini-Circuits · 封装:5.33 mm x 4.14 mm x 1.96 mm
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 2 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度(典型值) 30 dB,采用 5.33 mm x 4.14 mm x 1.96 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:QFN-12
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 5 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 1.5 dB、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-12 封装。Mini-Circuits
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、最小频率 100 MHz、最大频率 18 GHz、工作频率 100 MHz to 18 GHz、开关配置 SP8T。Mini-Circuits
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、最小频率 100 MHz、最大频率 30 GHz、工作频率 100 MHz to 30 GHz、开关配置 SP8T。Mini-Circuits
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、最小频率 10 MHz、最大频率 8.5 GHz、工作频率 10 MHz to 8.5 GHz、开关配置 SP8T。Mini-Circuits · 封装:CY353
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) - 5 V、最小频率 0 Hz、最大频率 5 GHz、工作频率 0 Hz to 5 GHz、开关配置 SPDT,采用 CY353 封装。Mini-Circuits · 封装:31.75 mm x 31.75 mm x 19.05 mm
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3 V、最小频率 500 MHz、最大频率 6 GHz、工作频率 500 MHz to 6 GHz、开关配置 SPDT,采用 31.75 mm x 31.75 mm x 19.05 mm 封装。Mini-Circuits · 封装:50.8 mm x 38.1 mm x 15.24 mm
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、最小频率 1 MHz、最大频率 6 GHz、工作频率 1 MHz to 6 GHz、开关配置 SP4T,采用 50.8 mm x 38.1 mm x 15.24 mm 封装。Mini-Circuits
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、最小频率 1 MHz、最大频率 6 GHz、工作频率 1 MHz to 6 GHz、开关配置 SP4T。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 10 MHz、最大频率 8 GHz、技术 Si、开关配置 SP6T、插入损耗 1.6 dB、关断隔离度(典型值) 30 dB。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 10 MHz、最大频率 8 GHz、技术 Si、开关配置 SP8T、插入损耗 1.6 dB、关断隔离度(典型值) 30 dB。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括最大频率 60 GHz、技术 Si。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、商品名称 HaRP。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 1.794 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.85 dB、关断隔离度(典型值) 29 dB。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 1.794 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.4 dB、关断隔离度(典型值) 34 dB。pSemi · 封装:QFN-12
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.3 V、最小频率 5 MHz、最大频率 1.794 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT,采用 QFN-12 封装。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 2.2 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.7 dB、关断隔离度(典型值) 55 dB。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 30 MHz、最大频率 2.7 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度(典型值) 24 dB。pSemi
该型号为集成电路,主要参数包括最小频率 700 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.28 dB、关断隔离度(典型值) 23 dB。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。