UPG2179TB-E4-A
CEL · 封装：SOT-363
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 500 MHz、最大频率 3 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT、插入损耗 0.6 dB、关断隔离度（典型值） 20 dB，采用 SOT-363 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录UPG2214TK-E2-A
CEL · 封装：S06
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.3 V、电源电压（最小值） 1.8 V、最小频率 50 MHz、最大频率 3 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 S06 封装。UPG2408TB-E4-A
CEL · 封装：SOT-363-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最小频率 50 MHz、最大频率 3 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 SOT-363-6 封装。UPG2409TB-E4-A
CEL · 封装：SOT-363
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.3 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最小频率 500 MHz、最大频率 3.8 GHz、技术 GaAs、开关配置 SPDT，采用 SOT-363 封装。JSW2-33DR-75+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 3 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.53 dB、关断隔离度（典型值） 31 dB。JSW2-33HDR-75+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 3 GHz、技术 Si、原产国家或地区 美国。JSW2-63DR+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-12
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 4.8 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最小频率 5 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT，采用 MCLP-12 封装。JSW2-63VHDRG+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.9 dB、关断隔离度（典型值） 17 dB。JSW2-63VHDRP+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.9 dB、关断隔离度（典型值） 17 dB。JSW3-272DR+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-14
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 4.8 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最小频率 5 MHz、最大频率 2.7 GHz、工作频率 5 MHz to 2.7 GHz、开关配置 SP3T，采用 MCLP-14 封装。JSW4-23DR-75+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 5 MHz、最大频率 2 GHz、技术 Si、原产国家或地区 中国。JSW4-272DR+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-14
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 4.8 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最小频率 5 MHz、最大频率 2.7 GHz、技术 Si、开关配置 SP4T，采用 MCLP-14 封装。HSWA2-63DR+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-20
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最小频率 100 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT，采用 MCLP-20 封装。HSWA4-63DR+
Mini-Circuits · 封装：QFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最小频率 30 MHz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SP4T，采用 QFN-24 封装。M3SW-2-50DRA+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最大频率 4.5 GHz、技术 GaAs PHEMT、开关配置 SPDT、插入损耗 1.4 dB，采用 MCLP-8 封装。M3SWA-2-50DRA+
Mini-Circuits · 封装：3.25 mm x 3.25 mm
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小频率 300 MHz、最大频率 4.5 GHz、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB，采用 3.25 mm x 3.25 mm 封装。M3SWA-2-50DRB+
Mini-Circuits
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 4.5 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 1.4 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB。M3SWA2-34DR+
Mini-Circuits · 封装：QFN-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3.3 V、最大频率 30 GHz、开关配置 SPDT、插入损耗 2.2 dB、最小工作温度 - 55 C，采用 QFN-16 封装。M3SWA2-63DRC+
Mini-Circuits · 封装：MCLP-12
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最小频率 0 Hz、最大频率 6 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT，采用 MCLP-12 封装。MSP2T-18-12+
Mini-Circuits · 封装：FK811
该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 18 GHz、技术 Si、开关配置 SPDT、插入损耗 0.3 dB、关断隔离度（典型值） 66 dB，采用 FK811 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。