MASW-008075-TR3000
MACOM
该型号为集成电路。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
MACOM
该型号为集成电路。IDT · 封装:QFN-EP-24
该型号为集成电路,主要参数包括长度 4 mm、宽度 4 mm,采用 QFN-EP-24 封装。Qorvo · 封装:SMD-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作频率 30~4200 MHz、技术 硅、开关数 Single、开关配置 SPDT,采用 SMD-32 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:LFCSP-16
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) - 3 V、电源电压(最小值) - 5 V、工作频率 0.1~8 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SP4T,采用 LFCSP-16 封装。Microchip / Microsemi · 封装:Die
该型号为集成电路,主要参数包括工作频率 100~8000 MHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SP2T、插入损耗 0.75 dB、关断隔离度(典型值) 38 dB,采用 Die 封装。Analog Devices / Hittite
该型号为集成电路。IDT · 封装:LGA-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、工作频率 2300~2700 MHz、开关数 Dual、开关配置 SPDT、最大工作温度 + 105 C,采用 LGA-32 封装。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括商品名称 FlatNoise。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括商品名称 FlatNoise。NJR · 封装:QFN-12
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.4 V、工作频率 3 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 DPDT,采用 QFN-12 封装。NJR · 封装:FLP-6-B2
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 7.5 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 30 C、商品名称 NJG153,采用 FLP-6-B2 封装。NJR · 封装:SSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、最大工作温度 + 85 C、高度 1.15 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、最小工作温度 - 20 C,采用 SSOP-14 封装。NJR · 封装:FLP-6-B2
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 7.5 V、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 30 C、商品名称 NJG152,采用 FLP-6-B2 封装。NJR
该型号为集成电路。NJR
该型号为集成电路,主要参数包括商品名称 NJG168。NJR
该型号为集成电路。NJR
该型号为集成电路。NJR
该型号为集成电路。NJR · 封装:FLP-6-B2
该型号为集成电路,主要参数包括最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 30 C、商品名称 NJG152,采用 FLP-6-B2 封装。NJR
该型号为集成电路,主要参数包括商品名称 NJG152。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。